三星突破第二代10nm制程,改进版骁龙835量产在望

  • 来源: 驱动中国 作者: 王海鹏   2017-04-20/10:30
  • 驱动中国2017年4月20日消息  去年10月份,三星宣布正式量产10nm制程的芯片。在Intel还停留在14nm制程的时候,在台积电还在为7nm制程为难的时候,三星是目前第一个能够量产10nm制程芯片的厂商

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    按照三星的解释,相比14nm制程,10nm制程制造的芯片性能提升27%,同时功耗降低达40%,并且10nm制程允许每个晶圆多制造30%的芯片。但是Intel对此表示很不屑,他们表示自身的10nm制程标准是“1平方毫米中塞下1亿个晶体管、鳍片间距做到34nm,最小金属间距则做到36nm”。而三星生产的骁龙835芯片,面积约为153平方毫米,集成了30亿个晶体管。由此可见,三星的10nm制程标准确实比不上Intel的标准。

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    不过好在第二代10nm LPP工艺的量产难题已经被攻克,三星已经开始在韩国汉城的S3生产线上部署相关设备。这意味着最早下半年我们就能够见到量产的改进版骁龙835。

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    改进版835很可能会被命名为骁龙836,类似于去年的骁龙821。虽然与骁龙835处理器同属于10nm制程,但是LPP比起LPE的性能可是要高上不少。例如骁龙821比起骁龙820:骁龙820的CPU大核主频2.2GHz、小核主频1.6GHz,GPU主频624MHz;骁龙821的CPU大核主频2.4GHz、小核主频2GHz,GPU主频650MHz。也就是说,骁龙821的CPU性能提升10%,而GPU的提升为5%。

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    LPP和LPE并不是矛盾对立的,而是同时存在的两个产品。LPE全称low-power early,讲究的是低功耗,而LPP全称Low Power Plus,追求的是性能。至于为什么三星不一次做到位,其一自然是为了抢一个首发的名声,效果目前显而易见;其二则是因为随着性能的提升发热量也急剧上升。骁龙810的惨剧依然历历在目,三星断然不会再那么激进。

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    除了已经可以量产的10nm LPP工艺,三星还在研究第三代10nmLPU工艺。相比起年底就能上市的改进版骁龙835,第三代LPU版骁龙835预计要到明年才能进入量产阶段。不论如何,现阶段的骁龙835旗舰机还没拿到手,处理器就已经变成了阉割版,实在是让人心痛啊!


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