驱动中国2017年12月28日消息 联发科于近日在台湾举办媒体年终聚会,在会上总经理陈冠州表示,其将在明年发布两款新的Helio P系列芯片。该芯片将主打AI和人脸识别,并采用更先进制程。
Helio X系列是联发科的旗舰级产品,而Helio P系列则是联发科的中高端产品。在今年十一月中旬的时候,联发科全球销售总经理Finbarr Moynihan透露,已经停止了旗舰芯片的研发,未来将专注中端芯片研发。
Helio P23和P30是联发科今年8月份发布的中高端新品,这两款新品搭配了最新一代的4G LTE全球全模基带,下行支持Cat.7,速率达300Mbit/s,上行支持Cat.13,速率达150Mbit/s。无奈这两款芯片均采用台积电16nm工艺制造,在性能和功耗的表现上并不受消费者的喜爱。
如今有消息称,明年发布的新芯片将采用台积电12nm工艺制造,并采用6核心设计,架构为双核A73+四核A53。此外按照联发科总经理陈冠州的说法,新芯片的AI架构名为“Edge AI”,可以整合CPU/GPU/VPU/DLA多运算单元,实现云端和终端的混合。
不过外媒报道称,骁龙670将会在明年第一季度开始量产。据悉骁龙670将采用10nm 工艺,并采用 8 核心的设计,其中 2 颗 Kryo360 核心,再加上 6 颗 Kryo 的低功耗核心,采用全新的 DynamIQ 技术。
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