三星再放大招 S8将配最强高通骁龙芯

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驱动中国11月22日消息 临近年底，各大智能手机制造商也在紧锣密鼓的准备着明年的新品，而各种新机的消息也纷纷在年底曝出。近日，有消息称三星将配备高通最强芯片，也就是上周高通公布的顶级旗舰处理器骁龙835，同时，三星S8还将是骁龙835的首发机型，预计将在明年二月底的的MWC 2017大会前发布，而国产机型将在明年年中跟进。

高通在上周公布了旗下全新顶级旗舰处理器骁龙835，但对其具体规格所言甚少，只是说会采用三星10nm FinFET工艺制造，目前已经在投入生产，终端产品将于2017年上半年问世。

据了解，骁龙835的编号为MSM8998(骁龙820/821 MSM8996/MSM8996 Pro)，将会采用升级版64位自主架构Kyro 200，并且是四大、四小的八核设计，集成GPU核心升级为Adreno 540，基带则是LTE X16，最高支持LTE Cat.16，理论下载速度高达1Gbps，上传也有150Mbps。另外，骁龙835还会支持四通道LPDDR4X-1866内存(联发科Helio P20首发)、UFS 2.1存储(麒麟960首发/骁龙660也会用)。

此外，高通发布的旗舰款处理器骁龙835采用了三星10nm制程工艺，使得新品的体积将会缩小30%以上，同时还能降低40%的功耗并提升27%的性能从而提升移动设备的用户体验。

同时，骁龙835还支持最新的快充技术Quick Charge 4.0。而新研发出的快充4.0技术可以让手机在15分钟内充电超过50%，比QC 3.0 充电速度快了20%，效率提升30%。为防止产生快充产生的手机过热现象，Quick Charge 4.0也将让手机温度降低高达5摄氏度。

三星自Note 7爆炸事件之后便将精力放在了S8的研发上，随着越来越多黑科技的曝出，人们将焦点从Note 7转移到了S8上，对S8的期待也越来越大，从曝出的消息来看，明年即将面世的S8必然也会引起一场“轰动”。