三星电子完成8nm LPP量产准备，骁龙845性能有望再提升

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驱动中国2017年10月18日消息   就在今日，三星电子宣布，其已完成8nm LPP工艺验证工作，可以进行量产。换做更简单的说法，8nm CPU时代即将来临，而骁龙845极有可能用上此工艺。

工艺制程的进步往往会带来性能的提升和功耗的下降。简单来说，先进的工艺能够提升单位面积下的晶体管数量，而晶体管数量越多，处理器的运算能力就越强。以骁龙835为例，其基于三星10nm制程工艺打造，芯片上集成了30亿个晶体管。与上一代14nm FinFET相比，新工艺在减小30%芯片面积的基础上，实现了27%的性能提升。

根据三星公告上给出的数据，在8nm LPP工艺的加持下，处理器可以在缩小10%面积的基础上，再次实现10%的性能提升。值得注意的是，LPE和LPP是两个不同的版本，LPE的全称为“Low Power Early”，而LPP指的是“Low Power Plus”。二者最大的不同，在于LPP能够带来更加强劲的性能。

按照三星处理器工艺发展表看，其将在2018年量产基于极紫外光刻技术（EUV）生产的7nm处理器，而8nm LPP将是三星在其推出EUV 7nm工艺前的最先进工艺。此前有消息称，7nm是硅材料的物理极限，因为晶体管栅长一旦低于7nm，晶体管中的电子就很容易产生隧穿效应。

但这已经是过时的消息，据外媒的报道，去年便有劳伦斯伯克利国家实验室（美国国家实验室之一）的一个团队，采用碳纳米管复合材料将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。不过这只是实验室技术，还没有实现量产。

按照发布一代，储备一代，研究一代的说法，笔者有理由相信，三星已经在研究更加先进的制程工艺。而9月份一则三星的招聘启事显示，其还在招收神经处理器架构师和团队负责人，只是不知道三星的AI芯片会在什么时候发布呢？