联发科P40、P70参数曝光,12nm制程工艺面向中端市场

  • 来源: 驱动中国 文:王海鹏   2018-01-02/10:06
  • 驱动中国2018年1月2日消息  在联发科媒体年终聚会上,联发科总经理陈冠州表示将在2018年发布两款新的Helio P系列芯片。如今有媒体爆料称,这两款芯片名为Helio P40和Helio P70,均采用12nm制程工艺和传统的4大核+4小核构架。

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    在具体的参数上,Helio P40采用4个2.0GHz的A73核心和4个2.0GHz的A53核心,Helio P70则采用4个2.5GHz的A73核心和4个2.0GHz的A53核心。GPU方面,Helio P40采用了700MHz的Mali-G72 MP3,而Helio P70则采用了800MHz的Mali-G72 MP4。

    这两款芯片都支持LPDDR4X内存标准,拥有更大的传输带宽,传输速度和性能大大提升。另外,其工作电压下降,支持改进的节能低频模式,可根据运行任务的情况而降低时钟频率,延长电池使用时间。此外这两款芯片还支持UFS2.1闪存标准,读写速度快了不止一点。

    不过Helio P40的基带稍差,仅为Cat.7。而Helio P70的基带为Cat.12,已经达到了中端芯片的主流水准。

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    据悉这两款芯片将会在CES2018展会上正式亮相,未来可能会出现在魅族、OPPO等厂商的中端手机上。


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