三星2028年台积电2030年量产High NA EUV

驱动中国9月8日消息，三星电子与台积电已分别确认下一代光刻技术的量产时间表。三星电子计划在2028年将High NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻技术投入量产，台积电则将这一时间节点定在2030年。两家头部芯片制造商的表态，意味着先进制程竞赛正式迈入High NA EUV时代。

High NA EUV是现有极紫外光刻技术的升级版本，通过增大光学系统的数值孔径，提升光刻分辨率，从而能够在晶圆上实现更精细的电路图案。当前，先进制程已推进至3nm乃至2nm节点，传统EUV设备在图形精度上逐渐逼近物理极限，High NA EUV被视为延续摩尔定律、突破下一阶段制程门槛的关键装备。

三星电子将首次High NA EUV量产的时间设定在2028年，显示出较为积极的导入态度。过去几年，三星在先进制程上持续加码，试图以GAA全环绕栅极等新架构挑战台积电的领先地位。更早启用High NA EUV，有助于三星在关键客户争夺中争取更多筹码，也为其未来的制程路线图提供硬件基础。

台积电则选择了更为稳健的2030年节点。作为全球先进制程市场份额最高的厂商，台积电在EUV设备的应用和良率提升方面拥有丰富经验。推迟量产时间，并不代表台积电对新技术持保守态度，而更可能是出于良率、成本以及客户实际需求等多方面因素的平衡。两家公司时间表上的差异，也体现了不同代工策略与商业考量。

这份时间表的确立，对上游设备与材料供应链同样具有指向性意义。High NA EUV设备从研发到量产需要经历漫长的验证周期，芯片制造商必须提前数年与设备厂、材料商协同开发。三星与台积电的量产节点一经明确，相关产业链即可据此调整研发和生产规划，为新一轮设备更新做好准备。

从行业视角看，High NA EUV的导入将进一步拉大掌握该技术的厂商与其他竞争者的差距。光刻设备作为半导体制造的核心环节，其技术代际更迭直接影响芯片性能、功耗与成本。未来若干年内，能否高效导入High NA EUV，将在很大程度上决定全球代工格局的走向。

值得注意的是，High NA EUV的大规模应用仍面临不小挑战。设备造价高昂、操作复杂度提升，使得只有少数头部厂商有能力承接。此外，配套的光刻胶、掩膜版以及量测设备也需同步升级，产业链整体成熟度仍需时间验证。三星与台积电给出的时间表，既是对技术前景的预判，也是对产业链协同能力的考验。