台积电否认应英伟达要求研发3D DRAM

驱动中国11月8日消息，台积电否认正在应英伟达要求研究开发3D DRAM内存，表示公司始终专注于专业集成电路代工核心业务。此前，The Information 近日报道称，受人工智能硬件需求增长、全球DRAM供应紧张和价格持续上涨影响，台积电正探索3D DRAM制造的可能性。

该报道提到，若相关计划最终落地，台积电有望开辟一项新业务，同时需要面对内存市场周期性波动带来的风险，并进一步扩大其在AI供应链中的影响力。The Information 援引两名了解该计划的人士称，在最大客户英伟达提出要求后，台积电已经开始为3D DRAM制造业务制定相关计划。

报道还称，这项计划由台积电副总裁徐国晋负责监督。徐国晋负责台积电先进封装业务，此前曾担任美光科技台湾地区业务负责人。台积电一名发言人向Tom's Hardware表示，台积电始终专注于核心业务，即专业集成电路代工；公司使命是多年来持续成为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能供应商。

从产业背景看，内存供应短缺正在扩大。内存逐渐从普通商品转变为战略性资源，甚至可能影响企业能否按时向客户交付产品。台积电与DRAM制造商保持密切合作，并为客户将内存封装进系统级封装产品，但公司本身并不具备DRAM制造所需专业技术和生产能力，更不用说3D DRAM。

技术层面，传统DRAM将存储单元排列在同一个平面，3D DRAM通过垂直堆叠多层存储单元，提高单片晶圆可容纳的存储容量。目前，全球三大DRAM制造商美光、三星和SK海力士都在推进各自的3D DRAM项目。美光DRAM技术路线图显示，在真正实现3D DRAM之前，该公司至少还要推出四代平面DRAM制程技术。

即使主要内存制造商距离3D DRAM真正量产仍有数年，因此，即便台积电决定推进3D DRAM业务，这一战略至少在未来五年内也无法缓解当前内存短缺问题。