华邦电子拟在第二代14nm DRAM导入EUV 预计2030年

驱动中国11月9日消息，利基型存储器制造商华邦电子计划在第二代14nm级DRAM内存工艺中应用EUV光刻技术，若开发顺利预计2030年导入。台媒《MoneyDJ 理财网》称，上述信息由华邦电子总经理陈沛铭说明。

陈沛铭表示，华邦电子已在EUV方向与ASML展开3.5年合作，目前正派遣员工赴ASML接受培训，为后续工艺导入进行准备。ASML向华邦电子承诺首台EUV光刻机交付时间约2年，后续设备则要等待3.5年。

华邦电子近期通过总额713.63亿新台币的高雄Module B新建预算，按现汇率约合143.94亿元人民币。陈沛铭称，这笔资金覆盖土建、机电和部分长交货周期设备，并非新晶圆厂全部投资；该厂具体建设方案将随时间推移逐步确定。

陈沛铭还就外部政治环境变化对AI数据中心的冲击作出判断：2027至2028年建设受到的影响相对有限，2029年云服务供应商CSP的资金情况将决定市场是否会进入下行调整周期。