10nm工艺性能提升20%！三星S8将首发骁龙835处理器

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驱动中国2016年11月18日消息 昨日晚间，高通在毫无征兆的情况下突然公布了2017年的旗舰芯片骁龙835。作为骁龙821处理器的继任者，骁龙835处理器采用了三星最先进的10nm制造工艺，性能提升20%，充电速度更快。而这一系列的优点，自然使得这款新处理器成为众多手机厂商竞相抢先的目标。其中也包括了三星下一代的旗舰产品S8。【加入AI人工智能！三星S8将推双版本，仅为大屏版配双镜头】

据报道，将于2017年3月份发布的三星下一代旗舰产品S8将作为骁龙835处理器的首发机型率先推出。根据已经发布的骁龙835处理器来看，将会采用业界领先的三星10纳米工艺，性能提升27%，功耗降低40%。同时，这款处理器还将支持最新的高通Quick Charge 4.0，它比此前的3.0标准又快了20%，只需15分钟，就能充满手机一半电量。

根据目前能够掌握的信息来看，将于明年年初亮相的S8，除了将会取消Home键之外，还将采用了1200万像素+1300万像素的双摄像头设计。此外，还将会采用光学指纹识别技术，支持人工智能服务。

在屏幕尺寸上，将分为5.1和5.5英寸两种大小的规格，而且都是曲面屏。重磅消息是，三星S8将致敬苹果iPhone 3D Touch，引入压力感应功能。相信这对于众多粉丝们来说，绝对是个好消息。因为三星现在已经向零组件供应商下订单出货，生产工作会在年底前开始。